Technologie | Intel | SSD

Už víme, jaké parametry budou mít SSD s novou technologií 3D Xpoint. Zázraky se nekonají

  • Intel s novým druhem pamětí sliboval tisíckrát vyšší rychlosti i výdrž
  • První generace SSD založených na 3D Xpoint ale teprve srovná krok s NAND flash
  • Intel se nejdříve zaměří na serverový trh

V roce 2015 představil Intel zcela nový druh nevolatilních (udrží data i po odpojení napájení) pamětí, které oproti současným NAND Flash, jež jsou základem současných SSD, přinesou řádově lepší parametry jak v rámci rychlosti, tak i výdrže a poměry ceny a kapacity.

Intel na nových pamětech spolupracoval s Micronem a první produkty zaměřené hlavně na servery a datacentra by se měly objevit tento rok v rámci řady Optane. A protože unikly specifikace jedné z prvních karet, podíváme se na ně podrobněji.

Intel Optane SSD DC P4800X

Na webu Intelu se krátce objevil oficiální dokument se specifikacemi pro kartu Optane SSD DC P4800X s kapacitou 375 GB, přičemž se očekává, že v nabídce se objeví i větší kapacity v podobě 750GB a terabajtové verze.

Jedná se o malou kartu do slotu PCI Express 3.0 x4, která využívá rozhraní NVMe 1.0. Uvnitř karty jsou jak samotné paměťové čipy 3D Xpoint, tak i řadič od Intelu. Hmotnost je 200 g.

p4800x-spec-sheet.png
Uniklé specifikace Intel Optane SSD DC P4800X s paměťmi 3D XPoint

Nejdůležitějšími parametry jsou ale rychlost a výdrž. V případě sekvenčního čtení se jedná „pouze“ o 2,4 GB/s a u sekvenčního zápisu pak 2 GB/s. Pro srovnání – miniaturní Samsung SSD 960 Pro do slotu M.2 (podpora rozhraní NVMe už ve verzi 1.2) nabízí čtení s rychlostí 3,5 GB/s a zápis až 2,1 GB/s.

Bohužel ani u náhodných IOPS to není žádný zázrak – Intel Optane SSD DC P4800X nabízí 550 tisíc IOPS při čtení a 500 tisíc IOPS při zápisu. Zmíněné SSD Samsung 960 Pro s klasickými NAND flash paměťmi má 440 tisíc IOPS při čtení a 360 tisíc IOPS při zápisu.

getthumbnail.jpeg
Typická odezva modelu Intel Optane SSD DC P4800X je kolem 10 mikrosekund

Pokud jde o výdrž, ta je opravdu slušná, i když se ani vzdáleně nejedná o tisíckrát lepší hodnoty, než u NAND flash. Prezentovaná 375GB varianta zvládne zápis až 12,3 PB dat (30 přepisů denně), zatímco 512GB model Samsung 960 Pro má ve specifikacích záruku na maximálně 400 TB zapsaných dat.

getthumbnail (1).jpeg
Detail waferu s čipy 3D XPoint

Spotřeba v provozu je kolem 18 W a v klidu pak 5 W. SSD založené na NAND flash jsou v tomto již mnohem efektivnější – Samsung 960 Pro má v provozu spotřebu mírně přes pět wattů a v klidu pak jen 40 mW. Na druhou stranu je potřeba dodat, že Intel Optane SSD DC P4800X má například dodatečnou ochranu ztráty dat při výpadku napájení. Nechybí podpora hardwarového šifrování AES 256-bit, chráněný systém aktualizace firmwaru (RSA 2048/SHA256) a řada certifikací.

První generace je zklamání

Intel zatím neprozradil cenu, ale pokud by se splnily původní sliby, měla by být někde mezi operační pamětí DRAM a NAND flash. Problém je, že sliby o tisíckrát lepších hodnotách se ani částečně nepotvrdily, spíše naopak.

Slibované parametry technologie Intel 3D Xpoint

  • Nevolatilní paměť (udrží data bez napájení)
  • První verze s kapacitou 16 GB na čip (20 nm)
  • 1 000× rychlejší než NAND flash
  • 1 000× větší výdrž buněk než u NAND flash
  • 10× větší kapacita než u operačních pamětí
  • Podobná rychlost jako u DRAM (odezva v nanosekundách)
  • Cena za bit mezi DRAM a NAND

Od první verze sice pochopitelně nešlo čekat mnoho, ale zveřejněné hodnoty jsou v mnoha ohledech pod úrovní současných SSD, které už jsou nějakou dobu na trhu a jediným parametrem, který násobně vyniká, je výdrž. Ta je důležitá především u datacenter a serverů, kde probíhá zápis velkého množství dat.

U koncových uživatelů není taková výdrž potřeba, protože poměr čtení a zápisu je obvykle zcela jiný a maximální výdrže dnešních SSD nelze při běžném použití dosáhnout ani po několika letech.

Otázka tak zní, kdy se tisíckrát vyšších rychlostí dočkáme, protože s tímto postupem bychom se také nemuseli dočkat nikdy. 3D Xpoint má tak před sebou pravděpodobně ještě dlouhou cestu velmi postupného vylepšování, které příliš neohromí, ale parametry si najdou konkrétní úzké zaměření pro použití. Jestli někdy nahradí NAND flash a další druhy pamětí, lze jen těžko odhadovat. Pokud

Diskuze (3) Další článek: Apple si patentoval další technologii, jak použít biometrické snímání otisků přímo v displeji

Témata článku: , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,